Qualcomm je otkrio svoj najsnažniji čip za mobilne uređaje do sada, Snapdragon 835. Baš kako su glasine govorile već neko vrijeme, novitet će biti izveden u 10nm FinFET tehnologiji, zahvaljujući suradnji sa Samsungom
Ovaj div u svijetu mobilnih čipova navodi kako 10-nanometarski čipovi imaju potencijal unijeti pravu revoluciju u svijet mobilnih tehnologija - ne samo za proizvođače mobilnih uređaja već i potrošače. Upravo stoga su za izradu svoje sljedeće perjanice pod brandom Snapdragon odlučili surađivati s drugim proizvođačem mobilnih čipova, Samsungom. Južnokorejski div je, naime, među prvima na svijetu koji su počeli koristiti 10nm proizvodni proces.
I dok se čeka na odgovore iz Intela i TSMC-a, drugi dvojac se odlučio na suradnju. Prvi uređaji sa Snapdragonom 835 izgledno će biti baš Samsungove perjanice Galaxy S8 u prvom dijelu sljedeće godine. Što se može očekivati zahvaljujući minijaturizaciji? Potrošači mogu računati na više procesorske snage uz manju potrošnju, kako to obično i biva s ovakvim stvarima. Pored toga, proizvođači će moći u uređaje smjestiti i veće baterije, jer 10-nanometarski čipovi zauzimaju kudikamo manje prostora od postojećih rješenja.
U brojkama, Qualcomm navodi kako je 10-nanometarski FinFET proces omogućio 30-postotno povećanje učinkovitosti po površini, uz 27 posto bolje performanse i 40 posto manju potrošnju u odnosu na postojeće čipove. Hoće li Snapdragon 835 uistinu postići ovakve rezultate reći će tek prvi stvarni testovi, no za sada je tehničkih informacija malo.
Novi čip integrira i Quick Charge 4 tehnologiju brzog punjenja baterije, bržu no ikad prije. Za svega pet minuta punjenja, potrošači s uređajima koji integriraju ovaj čip, moći će uživati u dodatnih pet sati rada uređaja! Za 15 minuta, potpuno prazni uređaji će se napuniti do 50 posto. Impresivno.